近日，从全国标准信息公共服务平台获悉，由深圳市照明与显示工程行业协会报批的《MiP LED显示屏技术规范》团体标准，经论证评审，正式批准立项。这也意味着国内首个MiP LED显示屏标准正式启动。
什么是MiP？
MiP（Micro LED-in-Package）技术的核心思路是将Micro LED芯片封装成独立器件，再通过固晶机固晶的方式将MiP器件集成到PCB基板上，进行二次面板级封装。这种“先封装，后组装”的模式，不仅可匹配更小尺寸的Micro LED芯片，满足更小点间距的应用需求，而且封装后的MiP器件尺寸变大（以0202为准，尺寸约为185μm×240μm），可直接测试分选，既能保障固晶过程的高良率，还能摆脱PCB基板的物理限制。这些优势使MiP技术成为短期内最具商业化潜力的方案。
据行业数据显示，2024年中国大陆MLED直显市场中MiP技术渗透率已达4%，实现了从0到1的突破。洛图科技预测，最迟到2028年，这个数字将飙升至35%，在P0.7以下超微间距市场更将占据主导地位。
MiP、SMD和COB三种封装技术对比
MiP、SMD和COB是LED封装技术中的三种不同类型，它们在封装方式、应用领域、性能特点等方面有所区别。
SMD（Surface Mount Device）是一种表面贴装技术，通常用于倒装芯片封装，通过去引线、支架简化或不带支架，直接使用封装材料对芯片进行整体包覆，来实现尺寸减小。SMD封装的尺寸通常为芯片尺寸的1.2倍左右，但相比COB的多芯封装，SMD在芯片性能均一、稳定以及维护成本方面表现较差。
COB（Chip on Board）则是将更多芯片直接封装在PCB电路板上，通过将芯片与电路板进行电连接，再通过封装材料实现所有芯片的整体保护。近年来，新兴的玻璃基电路板（COG）在Mini/Micro LED市场渗透并逐渐走高，但工艺难度仍然较高。
MiP（Micro LED-in-Package）是一种将多个芯片封装在同一器件中的技术，通过平面排列或层叠方式组合在一起，对散热性能要求更高。MiP技术在Mini/Micro LED领域的应用逐渐受到关注，尤其是该技术可以针对Micro LED的巨量转移技术痛点，通过RGB三色子像素的集成封装，降低巨量转移的难度。
与传统COB技术相比，MiP的芯片级板上封装架构优势显著。借助多层半导体电路工艺，MiP可放大焊盘及间距，大幅降低PCB电路板精度要求，提升生产良率。此外，MiP融合Micro LED 芯片高性能与Mini LED 成熟工艺，实现“Micro芯片+ Mini封装”的跨代兼容，在保障显示性能的同时，降低PCB板制造与贴片难度，兼具工艺简单、固晶直通率高、成本可控的优点。
据统计得出，全球MiP产能已超过10000KK/月，目前中国占据其中80%的产能主导权。这一数字背后不仅是产能竞赛的白热化，更标志着封装环节从产业链的“辅助角色”跃升为定义Micro LED商业化进程的核心引擎。当洲明、三安、利亚德三家头部企业产能总和突破全球规划总量的61%，一场由技术融合、成本重构与生态博弈驱动的产业权力迁徙已悄然开启。
技术爆发：从被动封装到智能集成
MiP的技术进化史，实则是封装功能从“保护芯片”向“定义性能”的范式跃迁。其核心突破体现在三大维度：
架构革新终结“毛毛虫时代”
三安光电子公司艾迈谱开发的AMiP（Active Matrix in Package）方案，将Micro IC驱动电路与LED芯片集成封装，实现“灯驱同面全倒装”。该设计通过简化线路层数（从传统12层降至6-8层），从根源消除像素异常亮线（“毛毛虫效应”），并提升模组稳定性。三星电子2024年推出的“MiP+COB”玻璃基混合方案，验证了技术路线的融合趋势。
半导体工艺突破物理极限
立琻半导体全球首款硅基GaN单芯全彩芯片（LEKIN-SiMiP03），通过蓝光芯片+量子点色转换技术实现RGB单芯片集成，规避三色芯片分次转移难题。该方案将巨量转移次数从百万级降至万级，直通良率显著高于传统方案（行业共识提升30%-50%），且避免使用含砷化镓的有毒材料。目前已应用于惠科微间距显示屏，并为AR眼镜、车载HUD提供新路径。
模组化打开下游生态瓶颈
当传统SMT设备难以兼容50微米以下Micro LED芯片时，国星光电的AS系列以标准化模组形态交付，使下游屏厂无需改造产线即可接入MiP技术。这种“封装即模组”的产业协同模式，正推动MiP从高端商显向消费级市场快速渗透。
成本重构：颠覆传统显示经济学
MiP技术的爆发性增长，本质是对传统显示成本模型的系统性颠覆。与传统COB技术要求99.9999%的巨量转移良率相比，MiP通过芯片级封装架构将良率门槛降至95%-98%，并实现对现有SMT产线的无缝复用。这一变革直接规避了动辄数亿元的巨量转移设备投入，使Micro LED量产成本曲线陡峭下探。
芯片微缩进一步释放降本红利。三安光电推出的0202（尺寸约0.2mm×0.2mm）及更小尺寸的微型芯片，将单晶圆切割芯片数量提升30%，推动P1.5间距产品在2025年价格再降30%，逼近传统SMD方案的生死线。而国星光电的AS系列MiP面板，通过“MiP+模组+GOB”三重技术融合，将防护性与维护成本优化40%——灌封黑色光学胶将点光源转为面光源，既提升对比度又降低后期运维负担。
非线性降本效应在产能跨越临界点时尤为显著：当月产能达5000KK时成本可降50%，突破10000KK时再降70%。正是这种“成本悬崖效应”，支撑着三安无锡基地5000KK/月、洲明6000KK/月的激进扩产计划。
产业权力重构：中国产能与国际技术的博弈
国内产能碾压下的生态扩张
洲明科技以6000KK/月产能主导全球供给，其户外MiP产品实现4500nits高亮与IP66防护，性能参数超越COB极限；利亚德无锡基地二期投产后产能达2400KK/月；三安光电则通过控股艾迈谱向AMiP驱动IC领域延伸，计划2025年底产能提升至5000KK/月。
从25年目标产能来看，仅三家企业规划产能已超13000KK/月。
目前，中国企业的集群化扩张已形成完整生态链支撑。从芯片设计到终端应用，本土企业不仅主导产能规模，更通过技术协同构建壁垒。以下为国内MiP产业链核心参与者布局全景（不完全统计）：
需特别指出的是，中国MiP生态的竞争力不仅在于产能数字，更体现在三重协同优势：
垂直整合效率：如洲明（封装）-芯聚（模组）-青松（终端）形成的消费级产品闭环，大大缩短研发周期；
技术共享推动产业协同：三安半导体AMiP（灯驱同面全倒装）驱动方案已授权艾迈谱等头部封装企业，应用于P0.9微间距显示屏量产；立琻半导体SiMiP芯片专利池向联盟企业开放GaN-on-Si基技术，降低Micro LED芯片研发成本30%。
国产设备替代关键环节：迈为股份巨量转移设备实现99.999%剥离良率（达国际最高水平），2024年交付头部面板企业；中微公司刻蚀机攻克玻璃基板微孔阵列加工难题，应用于三安AMiP驱动架构的量产线，设备采购成本较同类进口机型降低35%。
这种“产能+技术+供应链”三位一体的体系，正是中国在全球显示权力重构中掌握话语权的底层逻辑。
国际巨头：技术反制与混合路线
面对中国优势产能协同，三星加速推进“MiP+COB”玻璃基混合方案，在保持色彩均匀性同时降低成本；索尼以QD量子点技术弥补色域短板，试图在高端影院市场建立技术壁垒；据行业分析，苹果则探索“COB-on-MiP”架构，通过双层封装实现20000PPI像素密度，锁定AR设备增量市场。
这场博弈的胜负手在于AMiP技术的商业化速度。若中国企业在2025年将玻璃基混合方案成本压至$600/㎡（当前P1.2模组成本为SMD的1.3倍），消费级Micro LED电视渗透率有望突破5%，彻底重塑百年显示产业格局。
商业化临门一脚
尽管技术路线日益清晰，MiP产业化仍需突破两大瓶颈：
良率与成本的动态平衡
玻璃基板钻孔精度需稳定控制在20μm以内（利亚德Direct Light Ultra方案），而混bin工艺缺陷导致的麻点、暗亮现象仍影响10%的良率。辰显光电通过激光巨量转移将良率提升至99.995%，但距离消费级市场要求的99.999%仍有差距。
生态协同的标准化之战
当三安通过艾迈谱自建MiP产线吞噬封装环节、洲明联合立琻定制芯片向上游延伸时，产业链在防护协议（如GOB）与驱动IC接口上亟待统一标准。国星光电的GOB防护协议正与洲明AI指挥中心集成方案争夺主导权，而AMiP驱动IC的专利壁垒（国际巨头持有核心专利）更可能成为国产化进程的卡脖子环节。
值得一提的是，作为推动Micro LED产业化标准化的重要一步，深圳市照明与显示工程行业协会已正式批准《MiPLED显示屏技术规范》团体标准立项。该标准的制定将有力促进MiP技术产品的市场规范与质量提升。我们诚挚欢迎相关企业、院校、研究机构及行业从业者加入标准的编制工作，共同塑造未来显示产业的规范与格局。
结语：从技术可行性到商业可持续性
MiP产能狂飙的本质，是封装企业向产业链上下游的协同扩张。2025年若全球MiP产能突破10000KK/月，将触发三重产业变局：
成本革命：P1.5产品价格逼近SMD生死线，传统显示护城河彻底崩塌；
技术融合：AMiP与混合封装消弭路线之争，竞争升维至生态协同力；
权力迁徙：封装厂跨界定义芯片规格，终端厂反向定制驱动方案，百年垂直分工体系瓦解。
MiP技术的爆发不仅是封装环节的创新，更是中国显示产业从产能规模到技术定义权的全面跃迁。随着标准完善与成本下探，Micro LED“无处不在”的时代将以MiP为支点加速到来。
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