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英特尔与美光新加坡合资闪存芯片IMF

2011-04-28 10:05 来源:LED环球在线

英特尔与美光在新加坡合资投建的NAND闪存芯片生产工厂IMFlash周四正式开张。IMFlash Singapore工厂设备投资30亿美元,预计需要雇佣1200名员工,目前主要量产的是25纳米工艺NAND闪存芯片。与此同时,双方还宣布新工厂将采用业界一流水准的300毫米晶圆设备。

美光CEO史蒂夫·阿普尔顿(Steve Appleton)表示:“在短短5年时间内,美光和英特尔通过合作已经成为业界领先的NAND闪存厂商,新加坡工厂的开张将是双方合作史上的又一座里程碑。”IMFlash自从2010年中期以来一直使用25纳米工艺进行闪存芯片的量产,今年晚些时候将达到全产能生产。

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