慧聪LED屏网报道
首尔国立大学(SNU)的研究人员与KAIST、SAIT和韩国光子学研究所合作，开发了一种将MicroLED沉积在蓝宝石纳米膜上的新方法，该方法无需切割即可实现芯片的单片化。这种方法可以实现更高效率的MicroLED器件。
研究人员说，与在常规平面基板上生产的标准GaN Micro LED相比，该方法将Micro LED的内部量子效率(IQE)提高了44%。Micro LED还具有位错密度降低(降低了59.6%)的功能。根据他们的测试，与常规Micro LED相比，Micro LED的光致发光能力是其3.3倍。
除了在芯片(LED)级别上的优势之外，还可以使用机械力破坏纳米膜(在100nm处很薄)，因此可以将Micro LED轻松与基板分离并转移到最终的背板上。
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