慧聪LED屏网报道

为了解决芯片尺寸不匹配的问题并应对Micro LED生产量的挑战，德国Micro LED技术厂商ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示 200mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 晶圆片的出色一致性和可重复性，并同时说明其 300mm 晶圆的成功发展蓝图。

良率是Micro LED显示器的成功的关键，并且会直接影响生产的复杂性和成本。为了降低所需的成本，必须采用大芯片直径。这对于Micro LED应用而言尤其如此，Micro LED需要整合CMOS生产线的芯片与 LED晶圆片整合(譬如利用接合方式)。对比蓝宝石基氮化镓 (GaN-on-sapphire) 实现的更小直径，匹配的芯片直径还能促进其作用。ALLOS 团队采用其独有的应变工程技术来进一步提高波长一致性，并于 2019 年 2 月在 Veeco 的 Propel 产品上展示了 200mm 的 GaN-on-Si LED 晶圆片，标准差 (STDEV) 低至 0.6nm。

ALLOS 的最新研究结果显示，该技术现具有出色的可复制性，200mm 的波长一致性始终低于 1nm STDEV。ALLOS 联合创始人之一 Alexander Loesing 表示，与此同时，公司还达到了所有其他生产要求，例如弓小于 40 μm，SEMI 标准厚度为 725 μm。在将 CMOS 芯片粘合到 LED 外延片时，这些参数非常重要。结果令人印象深刻，因为公司的技术团队仅在对这项工作投入非常有限的时间和资源的情况下，推动了 GaN 技术的发展。

ALLOS 的技术长 Atsushi Nishikawa 博士指出，公司的前身 AZZURRO 已率先在市场上推出了 150mm 商用产品，后来又推出了 200mm GaN-on-Si 外延片。下一个挑战自然是生产 300mm 外延片。当为如此大的芯片设计的首个反应器 Veeco ImPulse 面世时，ALLOS便着手应对这一挑战。

ALLOS 证实，其技术已在此新反应器上成功扩展 300mm。特别是，ALLOS 独有的应变工程技术和出众的晶体质量如预期的一样适用于 300mm。

相比于 LED 行业的其他因素，从 100mm 直径(典型的蓝宝石基氮化镓芯片尺寸)按比例增大对于 Micro LED 的业务影响更大。使用大直径除了能够降低单位面积成本效果之外，用于 Micro LED 生产的 200mm 和 300mm GaN-on-Si 晶圆片还能比传统 LED 生产线的成本更低和生产精度更高的 CMOS 设施。他还能造成更进一步的影响，因为大多数 Micro LED 生产模式采用大面积使用大面积转印技术，或是整合单片显示器。

图：放大的芯片尺寸：由于显示器的匹配矩形形状或至圆形芯片的转印，可透过改善面积利用率来实现额外的成本效益。，图片来源：ALLOS

关于 300mm 晶圆的优势，Loesing 总结道，对于 Micro LED 显示器来说，大芯片尺寸的面积利用率更高，单是这一点就能实现 300mm 外延片 40% 的成本优势。加上 CMOS 生产线带来的其他成本优势和生产优势，这使得领先的业内厂商开始评估基于 300mm GaN-on-Si 的 Micro LED 显示器。

募资15亿!华灿投资Mini/Micro LED、GaN功率器件等

4月3日晚间，华灿光电接连发布公告，除了公布 2019年度报告、第一季度业绩预告以及8亿元增资子公司以外，还宣布拟非公开发行股票募集资金不超过15亿元，投向Mini/Micro LED、GaN功率器件等项目。

公告显示，华灿光电拟非公开发行股票数量不超过327,648,428股(含327,428股)，募集资金总额(含发行费用)不超过15亿元，投向Mini/Micro LED的研发与制造项目和GaN基电力电子器件的研发与制造项目，分别投入12亿元和3亿元。

其中，Mini/Micro LED的研发与制造项目是华灿光电为继续扩大在LED芯片领域的竞争优势、巩固LED显示屏芯片市场的领先地位而计划实施的投产项目。此项目以公司现有技术为基础，实现Mini/Micro LED的开发与产业化制造，进而带动产业链上下游各企业协同发展，深入布局下一代显示技术。

项目建设内容为Mini/Micro LED的研发与制造。Mini/Micro LED研发的内容主要包括数学建模仿真、器件结构设计、外延工艺开发、芯片工艺开发等;量产的内容主要包括Mini/Micro LED厂房及生产线建设，进行LED外延片和芯片的生产销售。项目主要产品包括Mini/Micro LED外延片、Mini/Micro LED芯片等。

华灿光电表示，此项目总投资额为139,267.22万元，其中拟投入募投资金120,000.00万元。项目预计将帮助公司实现年均利润总额25,282万元，项目整体内部收益率(税后)为17.64%。

GaN基电力电子器件的研发与制造项目产品为中低压系列硅基增强型p型栅GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括100V、200V、600/650V三个电压等级的多种型号，主要面向智能手机、汽车电子、数据中心等市场应用，具有高开关频率、高转换效率、高耐压强度的技术特性。

项目通过器件仿真设计、工艺制程开发、测试失效分析，建立GaN功率器件设计和工艺IP库。项目建成后，将建立GaN功率器件从设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链，将产品开发、制造与市场需求紧密结合，通过更快的产品迭代和稳定的良品率，以具有相当市场竞争力的性价比，快速推进GaN功率器件的大规模产业化。

项目开发按照从低压到高压、从低能量密度到高能量密度的次序分阶段有计划进行，开发的GaN功率器件包括100V、200V、600/650V三个电压等级。本项目量产按照调试贯通、风险试产、规模量产的次序分阶段有计划进行。量产以Si晶圆为衬底材料，采用0.25um工艺制程，制造中低压GaN功率器件，主要有WLCSP和QFN两种封装形式。项目建成后，实现年产1.33万片6英寸晶圆(折合4英寸3万片)的生产规模。

项目建设期三年，计划总投资额31,641.58万元，其中拟投入募投资金30,000.00万元。本项目预计将帮助公司实现年均利润总额4,247万元。

华灿光电表示，项目的建设能进一步完善公司化合物半导体战略布局，符合公司专注于高端半导体器件、做大做强产业链的长期战略布局。

本次发行完成后，华灿光电资产总额、净资产规模均将有所增加，公司资产负债率将相应下降，进一步优化资产负债结构，提高公司抗风险的能力，为公司未来的发展奠定基础。

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