Micro LED芯片最新进度！4家单位披露

近期，行家说Display通过企查查了解到，芯元基、镭昱光电、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、武汉大学等单位均发布了Micro LED相关专利，及最新进展。
可提高远紫外LED光提取率，Silanna UV这一技术亮了

日前，Silanna UV一研究团队公布了利用氮化镓：氮化铝（GaN：AlN）短周期超晶格（SPSL）性能的研究，声称在蓝宝石上生长的Far-C UV LED的辐射通量达到创纪录的17.4mW。
叠层全彩Micro LED研究新发展！单片集成全彩Micro LED或为AR/VR带来新变革?

据上述研究人员表示，该单片叠层RGB氮化镓铟（GaInN）Micro LED阵列可应用在AR/VR/MR等头戴智能设备上，这些设备所需的微米级像素显示无法通过机械组装技术制造，因此需要用到单片制造技术。
这两所大学研究人员合作研发叠层全彩Micro LED

近日，外媒报道，日本名城大学与沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）共同研发了像素密度为330PPI的单片叠层RGB氮化镓铟（GaInN）Micro LED阵列。
JBD正式发布单片全彩垂直堆叠Micro LED微显示屏原型

近日，MicroLED微显示器制造商上海显耀显示科技Jade Bird Display（以下简称“JBD”）正式发布单片全彩垂直堆叠Micro LED微显示屏Phoenix（凤凰）系列原型。此前发布并正在量产的Hummingbird（蜂鸟）系列主要针对30°FOV采用光波导方案的AR眼镜应用，而Phoenix系列则设计用于50°以上FOV光波导方案的AR眼镜。
技术篇| LED显示屏器件封装技术知多少？

经过40多年的发展，LED显示屏器件的封装先后经历了Lamp直插、SMD(Surface Mounted Devices)表贴、COB(Chip on Board)集成等发展阶段，逐步朝着像素点间距微小化方向发展。Mini LED与Micro LED显示时代，哪种封装技术更具优势呢？
Micro LED新突破！晶能光电首发12英寸硅衬底InGaN基三基色外延

近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。
JBD 全彩Micro原型机已发货，竟是堆叠结构？

8月28日，JBD（上海显耀显示科技有限公司）宣布其单片RGB Micro LED屏幕 Phoenix系列原型机已发货。之前发布且目前已量产的 Hummingbird（蜂鸟）面向 30 度 FOV 应用，而Phoenix 系列则设计用于 50 度以上 FOV 波导。
索尼Micro OLED高亮度化技术浅析

为了扩展OLED微型显示器的应用领域，进一步实现高亮度化最为令人期待。特别是在AR眼镜的用途中，要求具备在外光环境下的明视度，因此，迫切希望增大显示器的亮度。当然，在其他应用领域中，高亮度化技术也非常有用，作为有助于延长OLED使用寿命、降低功耗的重要技术而备受期待。
解决2个问题，明锐光电、艾迈斯欧司朗公布新专利

艾迈斯欧司朗、明锐光电近日都公布紫外LED的发明专利。
UV LED最新研究, 解决2个问题

近期、厦门大学、澳大利亚塔斯马尼亚大学公布了UV LED领域的最新研究。

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