近期，兆驰半导体、国星半导体、惠科、长虹电子、镭昱光电、数字光芯相继有最新Micro LED相关专利公布，涉及外延、封装、显示屏、测试电路等技术环节。

兆驰半导体

近期，兆驰半导体公布了两项Micro LED相关专利：

“一种Micro LED的封装方法”专利处于实质审查阶段。该专利解决了现有技术中在对Micro LED进行封装时，由于热胀冷缩原理可能会导致LED芯片不在同一水平面上，使得LED芯片发出的光达不到预期效果，从而导致该颗像素点无法使用，降低了产品良率的技术问题。

图片来源：国家知识产权局

“一种Micro LED外延片及其制备方法、LED芯片”专利进入授权阶段。本发明中的Micro LED外延片，通过采用AlNbN作为第一缓冲子层材料使得具有更小的晶格失配度，能更好的起到缓冲过渡的作用，可以降低因晶格失配而产生的位错，从而提高外延层生长的晶体质量。

此外，AlONbN具有很低的内应力，采用AlONbN作为第二缓冲子层能够调节外延层的翘曲，解决了现有技术中的缺少一种满足Micro LED显示需要求的位错密度低、晶体质量高、发光效率高的Micro LED外延片问题。

国星半导体

5月17日，国星半导体公布了一项名为“一种集成式立体Micro LED及其制作方法”的发明专利，该专利已进入实质审查阶段。

图片来源：国家知识产权局

发明专利公开了一种集成式立体Micro LED及其制作方法，所述Micro LED包括导电衬底、阻挡层、外延层、透明导电层、保护层、遮挡层、第一电极和第二电极。

发明在图型化的导电衬底上形成若干个Micro LED小面积的外延层，利用导电衬底上下电性倒通的特性，省去激光剥离衬底的问题，在非图型区域形成透明导电层将若干个的外延层形成导电连接，形成阵列模式，同时配合第一电极和第二电极，实现Micro LED的集成，解决了巨量转移的问题。