爱思强股份有限公司近日宣布，旗下硅基氮化镓技术AIXG5+凭借出色的生产效率和先进的技术，在2013年6月11日举行的2013年LEDinside极光奖颁奖典礼上荣获“MOCVD设备类最佳效能奖”。早前，该系统刚于今年3月荣获CSIndustryAward奖项。

“利用200毫米硅基材生产氮化镓基LED以降低芯片生产成本，是未来的发展趋势。”AIXTRON爱思强首席技术官AndreasTönnis表示，“此次获奖是AIXTRON爱思强在短短几个月内第二次获得嘉奖，再次体现了我们与客户密切合作及高度的研发创新能力。”

硅基氮化镓生长设备AIXG5+荣膺MOCVD设备类最佳效能奖

凭借AIXG5+技术，AIXTRON爱思强已为其现有硅基氮化镓设备生长设备AIXG5HT推出全新的5x200毫米技术套装，打造了业内最大的200毫米多片晶圆MOCVD反应器。美国Transphorm公司等制造商将利用AIXTRON爱思强在硅基氮化镓方面的先进专长，实现从直径150毫米晶圆向200毫米晶圆的过渡，充分运用AIXG5+带来的规模效益提升其生产效率。

G5+反应器搭载了多项全新功能，包括经改良的温控技术、新的进气口和腔室重置功能，攻克了硅基氮化镓MOCVD工艺的传统难题。通过这些全新的功能和专设的对称旋转模式，最大地降低了晶圆的翘曲度和消除了所谓的回熔(meltback)效应，从而实现最高的工艺稳定性和晶圆均匀性。