2月23日，爱思强在官网表示，华灿光电与爱思强就Micro LED显示技术展开合作。华灿光电订购了爱思强的AIX 2800G4-TM和AIX G5+ C/AIXTRON MOCVD工具以满足日益增长的RGB Micro LED需求。

   据悉，AIXTRON SE（FSE：AIXA，ISIN DE000A0WMPJ6）的两种MOCVD系统类型AIX 2800G4-TM (IC2)和AIX G5+ C。AIX 2800G4-TM (IC2)和AIX G5+ C系统采用8x6英寸配置，于2021年第四季度发货。

   爱思强表示，Micro LED技术即将彻底改变显示行业。市场对原色（RGB：红、绿、蓝）自发光微型LED的需求开始急剧上升。华灿光电订购的AIX 2800G4-TM和AIX G5+ C/AIXTRON MOCVD工具将可以满足日益增长的RGB Micro LED需求。

   据悉，复合半导体沉积系统AIX2800G4-TM是“基于GaAs/InP的光电和射频应用的HVM的反应器”具有水平流行星反应器、全石墨工艺室、三重工艺注气、单片旋转、高温下的自动卫星装载（高吞吐量），并且能保证外延片的均一性。

   AIX G5+ C是用于在150/200mm衬底（Si/蓝宝石/SiC）上应用先进GaN的行星反应器模块，可提高生产率和晶圆性能。据其批量单片晶圆性能反应堆成本效益来看，GaN对Si HEMT厚度均匀性0.44%，平均厚度在3.37µm。

   该AIX G5+ C系统结合紫外(UV)高温测量法，在外延工艺期间使用晶圆级控制（基于自动前馈）薄膜表面温度。根据Aixtron的说法，这保证了对掺入多量子阱(MQW)中的铟进行非常准确的控制，这将最终确定所有生产的晶圆之间的波长一致性。以及“Cassette-to-Cassette”加上原位清洗，可以确保在使用和试车过程中，颗粒不会污染表层。

   而对于Micro LED而言，Micro LED技术可实现更高的像素分辨率、卓越的显示质量，更重要的是，与现有显示技术相比，能效更高。为实现这些优势，下一代LED显示屏将需要将数百万个微米级LED映射到单个显示屏上。这促使LED供应商开发新技术来传输如此大的数量。

   大型LED阵列直接取自已处理的LED晶片，这使得之前的晶片装箱或分拣有缺陷的芯片变得多余。因此，至关重要的是，在小尺寸条件下，所生产的所有外延晶片都具有非常窄的波长分布和非常低的表面缺陷水平，这就需要一种创新的新MOCVD方法。

   “华灿光电作为市场的主要参与者，选择了AIXG5+ C和AIX2800G4-TM系统来进一步开发Micro LED生产工艺。它结合了以前仅在半导体行业中才能找到的方法和方法。我们的行星反应器平台解决方案完美地满足了这些严格的外延要求，”爱思强SE首席执行官Felix Grawert。

   在今年1月，华灿光电发布公告称，公司子公司华灿光电(苏州)有限公司(下称“苏州子公司”)与张家港经济技术开发区管理委员会签署《新型全色系Mini/Micro LED高性能外延与芯片的研发及生产化项目投资协议》。公告显示，项目总投资15亿元人民币，其中固定资产投资7.5亿元、流动资金7.5亿元，计划项目建设周期为四年。本协议的签署将推进公司新型高性能产品的研发及生产化有利于拓展未来发展空间。

   此次合作进一步彰显了华灿对Micro LED的技术投入。

   近段时间，无论是终端产品还是供应链，对Micro LED的关注都更加高涨，从技术到市场，Micro LED都显现了新的面貌，随着技术的发展，市场的带动，我们亦期待Micro LED能够快速推进，LED产业也能进入一个新的时代。