慧聪LED屏网报道

三星已确定在美国德州奥斯汀新建晶圆厂，并使用EUV光刻机台为客户代工先进制程的芯片，投资规模预估100亿美元，月产能约7万片。

今年5月份，台积电曾宣布将斥资100亿美元在美国亚利桑那州建设一座5nm工艺晶圆代工厂，规划月产能为2万片晶圆，该晶圆厂将于2021年动工，于2024年开始量产。

为了实现在2030年超越台积电成为晶圆代工龙头的目标，三星斥巨资向ASML买进EUV机台，三星集团副会长李在镕亲赴ASML荷兰总部，希望ASML能够供应更多的EUV光刻机，为的是能在先进制程上打败台积电。

据悉，三星启动了一个“半导体2030计划”，希望在2030年之前投资133万亿韩元，约合1160亿美元成为全球最大的半导体公司，其中先进逻辑工艺是重点之一，目标就是要追赶上台积电。

在最近的几代工艺上，三星的量产进度都落后于台积电，包括10nm、7nm和5nm，不过5nm算是缩短了差距，今年也量产了，此前也获得了高通、NVIDIA、IBM 等客户的 8nm、7nm 订单。

但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上，因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管，是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺，而台积电比较保守，3nm还是用FinFET，2nm上才会使用GAA工艺。

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