慧聪LED屏网报道

日裔美籍学者中村修二(Shuji Nakamura)凭借蓝光LED当选2014年诺贝尔物理学奖的获奖者之一。

之后，中村修二与大众分享了其获奖感言：“对于我从事的蓝色LED发明，能够被授予诺贝尔奖，对此感到无上荣光。看到LED照明这一自己的梦想变成现实，真正体会到了自己的愿望实现了时的心情。希望节能出色的LED灯有助于减少全球的能源消耗，降低照明成本。”

中村修二目前在美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)任教授一职。UCSB对于中村开发的GaN基半导体光器件表示，“这是在过去30年半导体材料科学领域中，最为重要的成就之一”。其中，GaN的p型掺杂的成功，是尤为值得称赞的成果。这是通过对GaN掺杂Mg后利用氮气环境下的升温退火(Post-thermal Annealing)实现的。

此外UCSB还介绍说，中村到UCSB后继续研究GaN薄膜技术，并于2007年开发出了全球首例非极性蓝紫色激光器。

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