近期Micro LED领域动态频发，近日，JBD、诺视科技、南京大学等企业机构又有最新Micro LED业务与技术进展传来。

01 JBD发生工商变更，或完成最新融资

12月2日，天眼查官网消息，国内Micro LED厂商JBD发生工商变更，企业注册资本从5584.171300万元人民币变更为5661.490600万元人民币，新增股东上海混沌投资（集团）有限公司，上海科创中心贰号私募投资基金合伙企业（有限合伙）。

此次工商变更或意味着JBD再次完成融资。据悉，从2021年至今年6月，JBD已完成7轮融资。今年6月，JBD宣布正式完成Pre-B轮融资，募集资金数亿元人民币。Pre-B轮融资由蚂蚁集团领投，吉利资本跟投，老股东广发乾和加码支持，融资资金用于加大JBD在Micro LED微显示核心技术上的研发投入、产品量产、高端人才引进以及全球市场开拓。

目前，JBD已成为Micro LED微显示领域主流技术厂商，具有成熟的单色和彩色Micro LED光引擎产品线。据不完全统计，JBD已为超过30款的AR眼镜提供Micro LED微显示方案，包括今年最新发布的影目科技 GO 2、Meta Orion、Rokid Glasses、星纪魅族StarV Air2、逸文科技G1等AR眼镜产品。

为实现更小体积与更高画质的Micro LED微显示器，今年JBD还分别推出了入眼亮度6000尼特的蜂鸟Ⅰ彩色光学模组；体积0.15cc、8lm光通量的业界最小AR光引擎蜂鸟Mini Ⅱ；并推出了AR光波导画质校正设备-ARTCS。

02 诺视科技与威科赛乐开发超高亮度Micro LED微显示芯片

11月29日，先导科技集团公众号消息，近日，威科赛乐和诺视科技联手成功研发出一种超高亮度的Micro LED微显示芯片。

图片来源：先导科技集团

据介绍，该技术不仅解决了目前Micro LED所面临的一系列挑战，还为未来智能设备的发展开辟了新的可能性。

据悉，先导科技集团于1995年涉足稀散金属行业，持续聚焦稀散金属及其高端材料、器件、模组、系统的研发、生产、销售和回收服务，现已成为全球领先的稀散金属全产业链企业，业务遍及全球多地，产品广泛应用于显示、光伏、半导体等领域。

威科赛乐成立于2018年，由广东先导集团与重庆万林投资公司共同出资成立。公司致力于半导体材料、晶圆、激光器芯片的设计、研发及制造，可实现年产10万片砷化镓、磷化铟外延片与年产高端激光器芯片20亿颗的生产能力。

2024年，威科赛乐完成多项技术突破，推出应用于Micro LED的8英寸新品、实现大尺寸MPD芯片批量交付、激光雷达芯片通过AEC-Q102车规认证等。

诺视科技成立于2021年，总部位于苏州，注册资本277.78万元，是一家Micro LED芯片及器件设计研发商，主要从事Micro LED芯片及器件设计、研发、制造和销售等业务，产品广泛应用于显示、微投影、HUD、AR/VR和光通讯等领域。

今年以来，诺视科技在Micro LED微显示领域动态频繁。产品技术方面，诺视科技在今年4月成功点亮全球首款XGA垂直堆叠全彩Micro LED微显示芯片。在8月，诺视科技推出峰值亮度超50万尼特的量产级单片全彩XGA Micro LED微显示芯片。

此外，诺视科技还与湖南大学研究团队、晶能光电等产学研机构共同在Micro LED微显示技术上实现最新成果，相继制备40万尼特超高亮度、3300PPI超高分辨率的0.39英寸Micro LED全彩微显示芯片，以及目前公开报道最高亮度1000万尼特的绿光Micro LED微显模组。

融资方面，今年3月，诺视科技完成Pre-A2轮的亿元融资，用于Micro LED微显示芯片量产线建设，以及其基于VSP（Vertically Stacked Pixels，垂直堆叠像素）技术方案Micro LED芯片的进一步研发。

03 南京大学联合研发出RGB全氮化镓基全彩Micro LED屏

近日，由南京大学、厦门大学、合肥工业大学、厦门市未来显示研究院联合天马微电子公司共同研制出国际上首款RGB全氮化物芯片的TFT基Micro LED全彩显示屏，首次成功完成了新全彩技术方案验证。11月19-21日，成果在苏州举行的第十届国际第三代半导体论坛(IFWS 2024)大会上正式宣布。

据悉，由于高质量红光InGaN量子阱外延生长技术瓶颈，氮化镓基的红光Micro-LED芯片效率一直难以突破。

南京大学与合肥工业大学团队一直致力于高In组分红光LED外延生长研究，先后通过优化生长条件、设计多种应力调控结构，显著提升了高In组分InGaN量子阱材料质量，通过分子束外延技术成功制备出电注入效率超过90%的隧道结红光Micro-LED器件，并深入阐释了该器件在高温环境下性能衰退的现象及其背后的物理机制。

该部分研究成果以“High-temperature performance of InGaN-based amber micro-light-emitting diodes using an epitaxial tunnel junction contact”为题，发表于Applied Physics Letters 124, 142103 (2024) ( https://doi.org/10.1063/5.0190000 )，并被APL主编选为Editor's Pick。

图1：（a）隧道结红光Micro-LED透射电子显微镜图；混合量子阱（b）In和（c）Al元素EDS图；（d）-（e）全氮化物全彩显示屏

南京大学和厦门大学技术团队进一步与天马微电子公司合作，创新提出了提升激光巨量转移效率和良率的新方法和新技术，联合研制出国际上第一块RGB全氮化物芯片TFT基超视网膜显示Micro-LED全彩屏，像素密度高达403PPI，该工作证实了全氮化物显示技术的可行性，为未来新型显示技术的发展提供新的全彩技术方案。