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总投资26.8亿,株洲国创越摩先进封装项目取得阶段性进展

2021-09-14 09:24 来源:全球半导体观察

近日,湖南株洲市重点项目——国创越摩先进封装项目1号栋迎来主体结构封顶,项目建设取得阶段性成果。

国创越摩先进封装项目由上海兴橙资本、市国投集团、株洲经开区产投公司及项目创业团队合资建设,被列入“株洲市2021年重点项目计划”“株洲市重大科技创新项目”“湖南省数字新基建100个标志性项目”。

该项目规划用地220亩,总投资约26.8亿元,将建设5G射频滤波器晶圆级封装线和射频前端模块系统级封装线各一条,打造包含6吋、8吋晶圆级封装和系统级封装产品多元的世界级半导体封装产业基地。

建成投产后,将有效助推优质上下游企业集聚株洲,推动株洲打造成为5G射频芯片及模块先进封装供应链中心、世界级的半导体封装产业基地。

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