广东省科学院半导体研究所与中量大（丽水）研究院有限公司紫外LED有新进展。

一种高性能垂直结构深紫外LED器件及制备方法 

广东省科学院半导体研究所提供了一种高性能垂直结构深紫外LED器件及制备方法，涉及半导体技术领域。该器件自上到下依次包括：N电极、至少一个环状外延结构、P电极、金属键合层和导电衬底。环状外延结构自上到下依次包括：N型AlGaN层、深紫外多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层。其中，N型AlGaN层的上表面嵌设有一层间隔设置的椭圆体型二氧化硅小球。环状外延结构还包括孔洞，孔洞从P型GaN层延伸至N型AlGaN层，且孔洞的底部不与椭圆体型二氧化硅小球接触。

该申请提供的高性能垂直结构深紫外LED器件及制备方法不仅能够改善深紫外LED晶体质量与电流分布，提高器件的光提取效率以及发光效率，还能实现大功率发射。

一种校准的紫外LED光源光催化净化控制系统

中量大（丽水）研究院有限公司这一发明涉及污水处理技术领域，具体为一种校准的紫外LED光源光催化净化控制系统。本发明提供了一种校准的紫外LED光源光催化净化控制系统，包括催化组件和过滤组件，所述催化组件包括箱体、紫外LED光源、隔板、主管道和副管道，所述过滤组件包括过滤器、冲洗器、光照管道和吸附器。

该发明中，增加过滤组件和光照组件，对介质进行催化净化处理，对含有部分催化净化杂质的介质进行过滤，方便后续转移处理，减少介质中携带的杂质，需要清理磁棒时，仅需要将套管取下，即可完成对磁棒的清理，清理效率高，且被磁棒吸附的杂物不会残留在磁棒表面，在壳体内部安装筛网与壳体的出液口对接，能够将介质内部携带的较大的杂物拦截。