据外媒报道，日本名古屋大学的研究团队近日开发了一种创新方法，成功在保持LED效率的基础上显著提升其亮度。这一突破性研究有望降低LED的生产成本和环境负担，同时在可见光通信及虚拟现实（VR）眼镜等领域发挥关键作用。

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相关研究成果已以《如何制造高内量子效率的半极性InGaN发光二极管：内部场的重要性》为题，发表在**期刊《激光与光子学评论》上。众所周知，铟镓氮化物LED以其卓越效率而著称，但通常仅能在低功率状态下高效运作。为了实现更高亮度，需增加其功率输入，但这往往会导致效率降低，即所谓的“效率下滑”现象。为解决这一问题，研究者们巧妙地通过倾斜InGaN层并采用特殊切割方式改变晶体极化特性，成功减少了效率下滑。他们成功在成本较低的蓝宝石基底上制造出（101̅3）方向的LED，这些LED在高功率条件下展现出卓越的效率。这一创新发现为LED技术的未来发展开辟了新途径，包括制造更高效、更明亮的Micro LED显示屏，适用于移动设备和大屏幕电视；研发适用于汽车和特种工业照明的更高电流密度LED；以及推动可见光通信技术和VR眼镜中更快开关速度的LED发展。

不过，研究人员表示，在蓝宝石基底上，未来研究极有可能无法找到比这种切割方向更优化的方案。