近期,行家说Display通过企查查了解到,芯元基、镭昱光电、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、武汉大学等单位均发布了Micro LED相关专利,及最新进展。
镭昱光电:MicroLED微显示芯片及其制造方法
9月8日,镭昱光电科技(苏州)有限公司公布了“MicroLED微显示芯片及其制造方法”的发明专利,目前处于授权阶段。
本申请公开了MicroLED微显示芯片及其制造方法,MicroLED微显示芯片包括驱动基板、多个LED单元,每一LED单元被单独驱动;台阶结构至少使相邻LED单元的第二掺杂型半导体层彼此断开且电隔离。
第一钝化层覆盖LED单元,暴露对应的第一触点,第二开孔暴露对应的LED单元的第二掺杂型半导体层;彼此断开且电隔离的金属反射罩,覆盖第一钝化层,金属反射罩与对应的LED单元的第二掺杂型半导体层电性连接,金属反射罩通过第一开孔与对应的第一触点电性连接。
本申请通过金属反射罩来调整LED发光角度,降低像素间光学串扰;金属反射罩连接到第一触点和第二掺杂型半导体层,能够降低LED像素电阻,减小了整体功耗。
中国科学院长春某研究所:一种高光效MicroLED芯片
9月15日,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发布了“一种高光效MicroLED芯片”,目前处于“申请公布”阶段。
本发明涉及一种高光效Micro LED芯片,属于Micro LED芯片技术领域。解决了现有技术中Micro LED芯片的出光效率低,且散热效果有待进一步提升的技术问题。本发明的Micro LED芯片,包括PN结、第二电极、第一电极、介质层和透明电极;
其中,PN结为N个,且均为倒梯形结构,固定在驱动电路基板的上表面上,且每个PN结通过一个第二电极与一个驱动电路基板的电极连接;第一电极为共电极,通过透明电极与N个PN结均连接,介质层将第一电极和第二电极隔离。
该Micro LED芯片,通过倒梯形的电极反射,一方面调控了LED的出光角度,增加了LED的出光效率;另一方面增加了第一电极的面积,有效提高电流的扩展能力,提高了器件的散热效果。
武汉大学:一种MicroLED芯片及其制造方法
8月22日,武汉大学公布了“一种MicroLED芯片及其制造方法”,该专利目前处于授权阶段。
本发明属于显示技术领域,公开了一种MicroLED芯片及其制造方法。
本发明提供的MicroLED芯片的芯片形状为三角形,芯片结构为薄膜倒装结构,且包括图形化双层金属电极,相比于常规芯片结构具有更高的比表面积,且n型电极的分布得到优化,能够有效减少n型电极附近的电流聚集效应、降低n型半导体层的有效电阻,能够明显改善芯片的热量累积效应。
芯元基:一种Micro LED显示器件和Micro LED芯片
9月8日,上海芯元基半导体科技有限公司公布“一种MicroLED显示器件和MicroLED芯片”发明专利,该专利进入授权阶段。
本实用新型提供了一种MicroLED显示器件和MicroLED芯片。
其中,MicroLED显示器件包括MicroLED芯片和CMOS驱动芯片,MicroLED芯片包括依次堆叠的第一绝缘层、第一ITO膜层以及所述MicroLED芯片与CMOS驱动芯片键合后分割出的若干像素点,第一绝缘层中分布多个P电极金属柱,CMOS驱动芯片包括若干正电极金属层,每一正电极金属层分别与若干的P电极金属柱电连接,以使MicroLED芯片与CMOS驱动芯片键合;
若干像素点间隔设置在第一ITO膜层上,正电极金属层与像素点一一对应设置。MicroLED芯片在与CMOS驱动芯片做像素对准键合工艺时,在像素点分割出来之前,先通过多个P电极金属柱与CMOS驱动芯片进行无差别的粗对准键合,因此,对准精度要求可以降低至200μm,大大降低了像素对准键合工艺的制作难度。
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