日前，厦门三安光电有限公司芯片开发部经理兼工艺处处长臧雅姝做了“固态紫外线（UVA/B/C）光源现状和技术挑战”的主题报告，分享了最新研究进展。

紫外LED光源波长从250nm至420nm，跨越了UVA、UVB、UVC三个紫外波段。尽管紫外固态光源已在工业和消费电子方面获得了广泛的应用，但是不同波段的紫外LED光源在规模化生产上仍存在不同的技术挑战。UVA波段的光源器件当前已可实现较高的电光转换效率，成功取代汞灯光源成为光固化和光催化等应用领域的第一选择，但是，UVA固态光源的电光效率的仍有较大的提升空间。而对于UVB和UVC波段的LED器件，随着量子结构Al组分含量升高，高晶体质量、高稳定性的材料制备存在的挑战越来越高。

同时，UVC波段深紫外LED器件如何降低自吸收，突破光提取效率也是提升WPE的关键。其研究工作中，重点聚焦高晶体质量AlxGa1-xN外延技术，通过采用NPSS和超晶格插入层等测量减少量子结构的缺陷和应力；并创新引入高反射电极体系来提升LED器件的光子提取效率，从而推动紫外（UVA/B/C）全线产品在性能上获得突破。

报告中详细介绍了UVA芯片技术领域的改进计划、DUV芯片技术领域的改进计划、紫外线产品和应用市场的最新进展，涉及385/395 nm波段产品技术阶段进展、365 nm波段产品技术阶段进展、DUV产品技术阶段进展、底层AlN quality 改善材料缺陷密度、AlN Void Structure 增强光提取、高能低耗深紫外元件研发等内容。其中，高能低耗深紫外元件研发中的“n-Ga(Al)N 电极体系欧姆接触形成机理研究”，n型高Al组分AlGaN与传统Ti基金属电极高温退火时，界面处易形成TiN岛。Au会沿TiN岛表面扩散到AlGaN材料内形成AuGa化合物，进而在金-半界面形成空隙、降低金属电极膜层的平整度。设计n type电极结构优化熔合条件有效改善平整度、同时减少接触阻抗。探索高效能芯片叠层结构解决高Al组分AlGaN掺杂困难导致载流子迁移率低的问题；优化n hole 尺寸r和n to n距离d实现最低n type接触阻抗和最佳扩展电流，实现WPE ~17%提升。